CX-430

φ300mmウェハー対応クリーンリフロー炉

情報家電・移動体通信機器等に代表される多機能・コンパクト化と、システムの高速動作を目的とした開発競争はますます激しさを増しています。

その具現化の一方法として、ベア実装はワイヤーボンデングによるフェースアップ・パッケージングから、
究極の実装法・ＦＣＢによるフェースダウン実装法が注目されています。

クリーンリフロー炉「CX-430」は、このウェハーレベルのソルダバンプ形成を目的に開発された最新の装置です。

■ 特長

• 炉内清浄度
  クラス1000を実現（ウォーキングビーム搬送方式と遠赤・輻射加熱方式）
• 炉内酸素濃度
  100ppm以下（気密性に優れたチャンバー構造）
• フラックスヒューム回収装置
  炉内で発生したフラックスヒュームは回収装置によって回収・除去を致します。
• 自在性の高い温度設定
  ヒーターは搬送方向に4ゾーン、各ゾーンが8ブロック分割制御されており、自在性の高い温度設定が可能となります。（32 面制御）
• 搬送機構
  発塵しないウォーキングビーム方式を採用し、タクト運転により、各ゾーンで安定した加熱が可能です。
• 輻射加熱
  強制対流を必要としない遠赤外線・輻射加熱方式を採用しているため、熱風によるバンプ表面仕上がり不良を抑制します。
• 高温はんだ対応
  鉛フリーはんだ・高温はんだにも対応します。
  

　φ0.1mmスパークルボール

　ボール実装後

■ 主な用途

• W-CSP（Wafer Level-CSP）のバンプ形成用
  
• FCB／フリップ・チップ・ボンデング用として（ソルダリング・導電性ぺーストのキュア等）

■ CX-430：標準仕様

電源	三相　AC200V　24kw　100A
装置寸法	全長：3,000mm　全幅：1,300mm　全高：1,260mm
重量	1,800kg
パスライン	900±30mm
適応基板幅	φ200mm,　φ300mm（φ150 搬送可、温度保証外）
連続使用最高温度	370℃（ウェハー表面温度）
加熱部	ゾーン数　4ゾーン
	加熱長　1,500mm（375mm × 4 ゾーン）
	ヒーター容量 4.85kw × 4 面　AC200V（一部AC100V） （上5　下3 ブロック分割/ １面）
	制御方式　ヒーター分割制御（PID）合計32 面
冷却部	冷却長　375mm
	冷却方式　N2ガス吹付方式
搬送部	搬送方式　ウォーキングビーム方式
	搬送方向　左→右（装置正面側から見て）
	搬送有効幅　150 〜300mm
	搬送有効高さ　搬送面上10mm
	タクトピッチ　375mm
排気回収処理	チャンバー入口・出口より排気ブロアによる強制排気
窒素ガス消費量	250リットル/min. (炉内酸素濃度100ppm以下／ウェハー連続投入時)
フラックスヒューム 回収装置	電源容量　0.2kw（循環ブロア）
	循環ブロアによる水冷・循環方式
炉内	清浄度　クラス1000（0.5μm）

※クリーンルーム内の設置には、炉体出入り口に吸引ダクト（ボリュームダンパー付）を装備して下さい。

★ベアチップ実装・ファイン実装のトータルサプライヤーとして設備・材料・工法とあらゆる方面から、ご相談を賜ります。
★オプションとして、ローダー・アンローダーも装備可能です。
★製品の仕様及びデザインは、改善等のため予告なく変更することがあります。
★本装置は当社と光洋サーモシステム株式会社の共同開発機です。